■ 优秀的耐离子迁移性能
■ 优良的机械加工性和耐热性
■ 低 Z 向热膨胀系数,与无铅制程兼容"/>

DK1650GC/DK1650GP

■ 无卤素 (Cl or Br<900ppm) 、Tg 值大于 150℃、CTI 值≥600V
■ 优秀的耐离子迁移性能
■ 优良的机械加工性和耐热性
■ 低 Z 向热膨胀系数,与无铅制程兼容

应用领域

新能源汽车、计算机、仪器仪表、通讯设备等

Tg

155

Td

370

CTE

2.8

详细信息

测试项目 单位 处理条件 典型值 规格值
Tg °C DSC 155 ≥150
Z-axis CTE ppm/°C 45 ≤60
ppm/°C >Tg 238 ≤300
% 50-260°C 2.8 ≤3.5
表面电阻率 耐湿后 3.0X10E7 ≥10E4
≥10E4
体积电阻率 MΩ·cm 耐湿后 8.2X10E7 ≥10E6
≥10E6
介电常数 1MHz - C-24/23/50 4.47 ≤5.4
介电损耗 1MHz - C-24/23/50 0.08 ≤0.035
耐电弧性 sec D-48/50+D-0.5/23 181 ≥60
击穿电压 KV D-48/50+D-0.5/23 45+KV,NB ≥40
吸水率 % D-24/23 0.13 ≤0.5
阻燃性 - C-24/23/50+E-24/125 94V-0 94V-0
Td热分解温度 °C 10°C/MIN, N2, 5%Wt Loss 370 ≥325
≥325
T288 min TMA >60 ≥5
T260 min TMA >60 ≥30
剥离强度 N/mm 125°C 、Float288°C/10Sec 1.2、 1.5 ≥0.7、≥1.05
热应力 未蚀刻的 sec Float288°C/10Sec 150 ≥10
蚀刻的
弯曲强度 Length Direction N/mm2 A 532 ≥415
Cross Direction N/mm2 A 434 ≥345
相比电痕化指数 V IEC60112Method PLC 0 PLC 0

 

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